Çörekçi, S. Et Al. 2006. AlGaN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerin yapısal özellikleri. 13. Yoğun Madde Fiziği , (Ankara, Turkey), 12.

Çörekçi, S., Çakmak, M., Özçelik, S., & Özbay, E., (2006). AlGaN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerin yapısal özellikleri . 13. Yoğun Madde Fiziği (pp.12). Ankara, Turkey

Çörekçi, S. Et Al. "AlGaN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerin yapısal özellikleri," 13. Yoğun Madde Fiziği, Ankara, Turkey, 2006

Çörekçi, S. Et Al. "AlGaN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerin yapısal özellikleri." 13. Yoğun Madde Fiziği , Ankara, Turkey, pp.12, 2006

Çörekçi, S. Et Al. (2006) . "AlGaN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerin yapısal özellikleri." 13. Yoğun Madde Fiziği , Ankara, Turkey, p.12.

@conferencepaper{conferencepaper, author={S. Çörekçi Et Al. }, title={AlGaN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerin yapısal özellikleri}, congress name={13. Yoğun Madde Fiziği}, city={Ankara}, country={Turkey}, year={2006}, pages={12} }