TUNAY TAŞLI, P. Et Al. 2012. InAlN/GaN Temelli Yuksek Elektron Mobiliteli Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Magneto Iletim Ozellikleri. ADIM Physics Congress II , (Denizli, Turkey), 65.

TUNAY TAŞLI, P., LİŞESİVDİN, S. B., KASAP, M., ÖZÇELİK, S., & ÖZBAY, E., (2012). InAlN/GaN Temelli Yuksek Elektron Mobiliteli Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Magneto Iletim Ozellikleri . ADIM Physics Congress II (pp.65). Denizli, Turkey

TUNAY TAŞLI, PINAR Et Al. "InAlN/GaN Temelli Yuksek Elektron Mobiliteli Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Magneto Iletim Ozellikleri," ADIM Physics Congress II, Denizli, Turkey, 2012

TUNAY TAŞLI, PINAR T. Et Al. "InAlN/GaN Temelli Yuksek Elektron Mobiliteli Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Magneto Iletim Ozellikleri." ADIM Physics Congress II , Denizli, Turkey, pp.65, 2012

TUNAY TAŞLI, P. Et Al. (2012) . "InAlN/GaN Temelli Yuksek Elektron Mobiliteli Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Magneto Iletim Ozellikleri." ADIM Physics Congress II , Denizli, Turkey, p.65.

@conferencepaper{conferencepaper, author={PINAR TUNAY TAŞLI Et Al. }, title={InAlN/GaN Temelli Yuksek Elektron Mobiliteli Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Magneto Iletim Ozellikleri}, congress name={ADIM Physics Congress II}, city={Denizli}, country={Turkey}, year={2012}, pages={65} }