Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2018
Öğrenci: MEHMET ÖZTÜRK
Danışman: SEFER BORA LİŞESİVDİN
Özet:Bu çalışmada MOCVD tekniği ile büyütülmüş ultraince bariyerli AlN/GaN ve In0,17Al0,83N/GaN yüksek elektron hareketlilikli transistör (HEMT) yapılarının Hall etkisi ve taşıyıcı yoğunluğu ölçümleri 15-300 K sıcaklıkları aralığında ve 0,5 T sabit manyetik alan altında yapıldı. Ölçümler sonucunda 2-Boyutlu elektron gazı (2DEG) taşıyıcı yoğunlukları ve hareketlilikleri hesaplandı. Sıcaklığa bağlı Hall etkisi ölçüm sonuçları kullanılarak her bir numune için elektron hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmalarının analizleri yapıldı. Saçılma analizleri sonucunda, deformasyon potansiyeli, korelasyon uzunluğu ve kuyu genişliği gibi numuneler ile ilgili parametreler belirlendi.