Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2019
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Celal Avar
Danışman: METİN ÖZER
Özet:Bu tezde, metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) tarafından safir alttaşlarda biriktirilmiş farklı kalınlıkta AlN tamponlu iki, yüksek elektronlu mobilite transistör yapısı (HEMT) üretildi. AlN tampon tabakası cihazın performansı için kritik öneme sahiptir. Bu nedenle mozaik model kullanılarak analiz edilen gerilmelerin etkisi gözlemlendi. AlGaN / AlN / GaN hetero-yapıları, X-Ray difraksiyonu (XRD) ve Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile incelendi. Yapılarda GaN, AlGaN, AlN katmanlarının mozaikliğini değerlendirmek için mozaik modeli de kullanıldı. Yanal ve düşey kristal büyüklüğü, çıkık, eğim ve leke tabakaları, HR-XRD cihazı ile Vegard ve William Hall (WH) yarı deneysel yöntemleriyle incelenmiştir. XRD sonuçlarına göre; Tampon tabakası kalınlığı azaldıkça, simetrik (002) ve asimetrik zirvelerin (105) pik yükseklik yarı genişliği (FWHM) değerleri artmaktadır. Daha kalın tampon katmanı yapıyı daha fazla kristalize eder. AFM sonuçlarına göre düşük kalınlıkta AlN tamponu daha sık çukurlara ve tepeciklere sahiptir ve daha pürüzlüdür. Sonuç olarak, 520 nm kalınlığında AlN tampon tabakası daha iyi bir yapısal performans göstermiştir. Bilim