MIS yapılarda ara yüzey karakterizasyonu


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2016

Öğrenci: RIDVAN OKUR

Danışman: SEMA BİLGE OCAK

Özet:

Al/ZnO/p-Si Schottky diyolar hazırlanarak akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-V) ve iletim-gerilim (G-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlık ortamda ölçüldü. Al/ZnO/p-Si Schottky diyotların satürasyon akımı (I0), ideallik faktörü (n), bariyer yüksekliği (ΦB) ve seri direç (Rs) parametreleri termoiyonik emisyon teorisi kullanılarak elde edilen düz beslem I-V karakteristikleri ile hesaplandı. Elde edilen n, ΦB and Rs (Cheung methodu kullanılarak) verilerinin, dV/dLn(I)-I ve H(I)-I fonksiyonları için; 0,60-0,70 eV, 0.51-0.802 eV aralığında, 1.46,3-3.19 k ve 1.5-3.62 k aralığında değiştiği gözlemlendi. Al/ZnO/p-Si yapıların frekansa bağlı kapasite-gerilim (C-V) ve iletim-gerilim (G-V) karakteristikleri seri dirençler (Rs) ile arayüzey durumları (Nss) etkileri göz önünde bulundurularak incelendi. Al/ZnO/p-Si yapıların C-V ve G-V ölçümleri oda sıcaklığında 30kHz-1 MHz frekans aralığında yapıldı. Deneysel sonuçlar, C ve G değerlerinin frekans arttıkça azaldığını gösterdi. C ve G değerlerinde düşük frekanslarda görülen bu davranışın Si/ZnO arayüzeyinde meydana gelen Nss değerinden kaynaklandığı tespit edildi. Böylelikle numuneden Cc ve Gc değerlerini elde etmek için Rs etkisi göz önünde bulundurularak düz beslem ve ters beslem için de yüksek frekansta Cm and Gm/w değerleri ölçüldü. Sıfır beslem altında her bir frekansta, Rs değerinin anormal derecede pik yaptığı görüldü. C-2-V eğrisi her bir frekans değeri için geniş bir beslem aralığında lineer bir davranış sergiledi. Katkılama yoğunluğu NA, tüketim katmanı genişliği WD ve bariyer yükseliği ΦB değerleri C-2-V eğrisinden elde edildi.