Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2009
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Döndü Eylül ERGEN
Danışman: METİN ÖZER
Özet:Bu çalısmada, (111) yönelimli, 400 μm kalınlığında, 1x1017cm-3 tasıyıcı yoğunluğuna sahip n-tipi GaAs yarıiletken üzerine metal buharlastırma metodu ile Au/n-GaAs yapılar olusturuldu. Oda sıcaklığında karanlık ve aydınlıkta akım-gerilim (I-V) karakteristikleri, karanlıkta 10 KHz -1,2 MHz aralığındaki frekansa bağımlı sığa-gerilim (C-V) karakteristikleri incelendi. C-V ölçümlerinden arayüzey durum yoğunluğu değerleri hesaplandı ve frekansa bağlı olarak azaldığı görüldü. Hazırlanan bu yapıların 80K-380K sıcaklık aralığında akım-gerilim (I-V) özellikleri incelendi, idealite faktörü n, Schottky engel yüksekliği ΦB ve diğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği 0,644 eV, idealite faktörü ise 1,86 olarak bulundu. Sıcaklık artısıyla idealite faktörünün azaldığı, engel yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. Ayrıca 1 MHz frekansta yukarıda belirtilen sıcaklık aralığında sıcaklığa bağlı sığa-gerilim (C-V) özellikleri incelendi. Bu verilerden difüzyon potansiyeli VD, engel yüksekliği ΦB, verici atomların yoğunluğu ND, tüketim tabakası genisliği WD hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği 0,91 eV olarak bulundu. Isık kaynağı kullanılarak farklı ısık kaynağı çıkıs güçlerinde 5- 250 W aralığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. Bu ölçümlerden elde edilen veriler kullanılarak günes pili parametreleri hesaplandı. Isık kaynağından 250 W' lık çıkıs gücü için doluluk faktörü 68,90 ve verim % 12,20 olarak bulundu. Schottky diyotların engel yüksekliği, idealite faktörleri farklı dalgaboylarına sahip ısık filtreleri kullanılarak 50-250 W aralığında bes farklı ısık siddeti için hesaplandı. Engel yükseklikleri ve idealite faktörlerinin ısık frekansı ile değistiği gözlendi. 250 W çıkıs gücü için tüm filtrelerde günes pili parametreleri incelendi.