RF püskürtme metodu ile hazırlanan SiO2 arayüzeyli metal-yarı iletken kontaklarda parametrelerin belirlenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2007

Öğrenci: ŞULE DEMİR

Danışman: METİN ÖZER

Özet:

Bu çalışmada, Al/n-Si/SiO2/Au yapının temel parametreleri frekans (50 kHz-5MHz) ve sıcaklığa (80 K-390K) bağlı incelendi. Al/SiO2/n-Si/Au yapının farklı frekanslar ve farklı sıcaklıklarda sığa-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G/w-V) ve akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirildi. C-V, G/w-V ve I-V ölçümlerinden yapının engel yüksekliği (ΦB), seri direnci (Rs), Fermi enerjisi (Ef), idealite faktörü (n) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) sıcaklığa ve frekansa bağlı olarak belirlendi. Yapılan deneysel ölçüm ve hesaplamalar, bu tip yapıların hemen hemen tüm parametrelerinin yapıdaki arayüzey durum yoğunluğuna, seri dirence, uygulanan d.c. gerilime, frekansa ve sıcaklığa bağlı olduğunu göstermiştir.