Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2010
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: AHMET ASİMOV
Danışman: METİN ÖZER
Özet:Bu çalışmada, (100) yönelimli, 300μm kalınlığında, 1x1018cm-3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip p-GaAs yarıiletkeni üzerine metal buharlaştırma metodu ile Au/p-GaAs yapılar oluşturuldu. Bu yapıların temel bazı elektriksel parametreleri 80-400K sıcaklık aralığında incelendi. Hazırlanan bu yapıların yapılan akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü n, Schottky engel yüksekliği ΦB ve diğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği 0.53 eV, idealite faktörü ise 1.37 olarak bulundu. Sıcaklık artışıyla idealite faktörünün azaldığı, engel yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. I-V ölçümlerinden ara yüzey durum yoğunluğu değerleri hesaplandı ve sıcaklığa bağlı olarak azaldığı görüldü. Oda sıcaklığında 10 kHz - 1000 kHz aralığında frekansa bağlı sığa-gerilim (C-V) karakteristikleri incelendi. 1/C²-V grafiği kullanılarak; difüzyon potansiyeli VD, engel yüksekliği ΦB, alıcı atomların yoğunluğu NA, tüketim tabakası genişliği WD ve yalıtkan tabaka kalınlığı δ hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği C-V ölçümlerinden 0,72 eV olarak bulundu.