Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2019
Öğrenci: DENİZ GÜLCÜ
Danışman: ADEM TATAROĞLU
Özet:Bu çalışmada, silikon üzerine büyütülen AlGaN/GaN heterojen yapı, metal-yalıtkan-yarı iletken (MIS) yüksek elekton mobiliteli transistörleri (HEMT) üretmek ve karakterize etmek için kullanılmıştır. Akım kaçaklarının azaltılması için kapı metalinin altına atomik tabaka kaplama (ALD) yöntemi kullanılarak alüminyum oksit (Al2O3) ara pasivasyon tabaka kaplaması yapılmıştır. Böylece, farklı kalınlıklarda Al2O3 kaplaması ile akım kaçaklarının minimum seviyeye indirilerek, yüksek gerilim ile çalışan MIS HEMT üretimi gerçekleştirilmiştir. Hazırlanan aygıtların kapı kaçak akımı, eşik voltajı ve kırılma gerilimi değişimleri incelenmiştir. Al2O3 kaplama kalınlığı arttığında eşik voltajının negatif yönde arttığı görülmüştür. Kapı kaçak akımı ve kırılma gerilimi Al2O3 ara pasivasyon malzemesi kullanıldığında iyileşmiştir. Kalınlık azaldıkça, kaçak akımın azaldığı ve kırılma geriliminin arttığı görülmüştür