Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2012
Öğrenci: GÜLSER KARAKOÇ
Danışman: SEFER BORA LİŞESİVDİN
Özet:Bu çalışmada MOVPE kristal büyütme yöntemi ile büyütülen 3 adet InxGa1-xNkuvantum kuyulu AlInN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapı için Hall ölçümleri ve özdirenç analizleri gerçekleştirildi. Özdirenç, Hall hareketliliği ve taşıyıcı yoğunluğu 15-300K sıcaklık aralığında, 0,4T manyetik alan altında ölçüldü. x=0 , 0,12 ve 0,18 değerlerine sahip numunelerin elektron iletim özellikleri açıklandı. Ayrıca elektron hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmaları üzerine tartışıldı. Yapılan özdirenç ölçümlerine bağlı olarak özdirenç analizleri gerçekleştirilmiştir.