MIS YAPILARIN DİELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN FREKANS VE SICAKLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2010

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Hilal ERBAŞ ARAL

Danışman: ADEM TATAROĞLU

Özet:

Au/SnO2/n-Si (MIS) yapıların; dielektrik sabiti (ε\'), dielektrik kayıp (ε\"), dielektrik kayıp açısı (tanδ), ac elektrik iletkenlik (σac), reel ve imajiner elektrik modülü (Μ\' and Μ\") gibi dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklık bağımlılığı, 100 Hz-1 MHz frekans ve 100-400 K sıcaklık aralığında deneysel kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri kullanılarak araştırıldı. Deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik parametrelerin güçlü bir şekilde frekans ve sıcaklığa bağımlı olduğunu göstermektedir. ε\' ve ε\'\' artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Aynı zamanda, ac elektriksel iletkenlik (σac) hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile artmaktadır. Arayüzey kutuplanması düşük frekanslarda daha kolay gerçekleşebilmekte ve yarıiletken/yalıtkan arayüzeyinde arayüzey durum yoğunluğu sayısı, MIS yapının dielektrik özelliklerinin iyileştirilmesine katkı sağlamaktadır.