Sİ(100) yüzeyinin 2-boyutlu ısıng model ile incelenmesi

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2011

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Ali Emre Genç

Danışman: BÜLENT KUTLU

Özet:

Bu çalışmada, Si(100) yüzeyinin kritik davranışı Ising modeli temel alan Creutz Cellular Automaton soğutma algoritması ile incelenmiştir. Hesaplamalar, periyodik sınır koşulları göz önüne alınarak, Lx=30, 60, 90, 120 ve Ly=Lx, 2Lx,….,10Lx kenar uzunluklu dikdörtgen örgüler kullanılarak yapılmıştır. İncelemeler, Si(100) yüzeyindeki dimerlerin anizotropik etkileşimlerinden dolayı düzen durumunu elde etmek için gerekli en büyük Lx/Ly oranının 1/7 olması gerektiğini göstermiştir. Ayrıca yüksek sıcaklıkta STM gözlemleriyle uyumlu yüzey resimleri elde edebilmek için spin ortalamalarının belirli bir Ω ayrıma oranıyla ayrılması gerektiği sonucuna varılmıştır. Farklı parametre setlerine ait sonsuz örgü kritik sıcaklıkları elde edilmiş, deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırılmıştır. Son olarak, diagonal parametre değişiminin kritik davranışa etkisi gösterilmiştir.