Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, -, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2017
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: İlhan Cıbır
Danışman: Sema Bilge Ocak
Özet:Bu çalışmada Al/PbO/p-Si (MOS) yapıların fabrikasyonu yapıldı. Al/PbO/p-Si yapıların akım-voltaj, kapasitans-voltaj ve iletkenlik-voltaj karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlık ortamda ölçüldü. Al/PbO/p-Si yapıların satürasyon akımı, ideallik faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç gibi diyot parametreleri düz besleme akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinden termoiyonik emisyon teorisi kullanılarak hesaplandı. Al/PbO/p-Si yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G-V) ölçümleri oda sıcaklığında 10kHz-1MHz frekans aralığında ölçüldü. Deneysel sonuçlar, C ve G değerlerinin frekans arttıkça azaldığını gösterdi. C ve G değerlerinde düşük frekanslarda görülen bu davranışın Si/PbO arayüzeyinde meydana gelen arayüzey durumlarından kaynaklandığı tespit edildi.