Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2018
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Ömer Akpınar
Danışman: MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
Özet:Bu tez çalışmasında AlxGa1-xN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) yapısı c- yönelimli safir alttaş üzerine Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) yöntemiyle büyütüldü. Büyütülen yapının yapısal, optik, morfolojik ve elektriksel karakterizasyonları sırasıyla X- Işını Kırınımı (XRD), Fotoluminesans (PL), Ultraviolet (UV-Vis), Atomik Kuvvet Mikroskopisi (AFM) ve Hall -Özdirenç ölçümleri ile belirlendi. XRD tekniği ile simetrik ve asimetrik düzlemlerde 2, tam genişlikteki yarı yükseklik (FWHM), örgü parametreleri, parçacık boyutu, zorlama, gerilme ve dislokasyon değerleri hesaplandı. PL ölçüm sonucundan 3,24 eV GaN'ın doğrudan bant aralığı belirlendi. UV-Vis'de ise AlGaN tabakasının iletiminin 360 nm'de başladığı görüldü. Hall-özdirenç ölçümlerinde HEMT yapısının taşıyıcı yoğunluğunun sıcaklıktan etkilenmediği ve mobilite değerinin yüksek olduğu hesaplandı. Oda sıcaklığında elde edilen taşıyıcı yoğunluğu ve mobilite değerinin sırasıyla 5,82x1015 1/cm3 ve 1198 cm2/Vs olarak elde edilirken, en düşük sıcaklık noktasında (25 K) ise 5,19x1015 1/cm3 ve 6579 cm2/Vs'dir.