Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2015
Öğrenci: AHMET KÜRŞAT BİLGİLİ
Danışman: METİN ÖZER
Özet:Bu çalı şmada, (100) yönelimli, 500 µm kalınlı ğında 3,13x10 18 cm -3 ta şıyıcı yo ğunlu ğuna sahip n-InP yarıiletkeni üzerine sputtering (püskürtme) metodu ile Ag/TiO 2/n-InP/Au yapılar olu şturuldu. Arayüzeydeki TiO 2 filmler püskürtme cihazında iki farklı kalınlıkta, 60 Ǻ ve 120 Ǻ olarak büyütüldü. Bu yapıların bazı temel parametreleri 120-420 K sıcaklık aralı ğında incelendi. Hazırlanan yapıların akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü n, Schottky engel yüksekli ği ΦB ve di ğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklı ğında, engel yüksekli ği 60 Ǻ film kalınlı ğı için 0,524 eV, idealite faktörü 1,39 ve 120 Ǻ film kalınlı ğı için ise 0,50 eV, 1,42 bulundu. Sıcaklık artı şıyla idealite faktörünün azaldı ğı, bariyer yüksekli ğinin ise arttı ğı gözlendi. Akım iletimi ile ilgili olarak termoiyonik emisyon, Cheung Cheung metodu, Norde metodu uygulanarak parametreler hesaplandı ve bulunan sonuçlar kıyaslandı. Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen verilere Gauss Dağılımı uygulandı ve diyotların ikili Gauss Dağılımı verdi ği görüldü, ortalama engel yükseklikleri Gauss Dağılımından hesaplandı.