Akademik Veri Yönetim Sistemi
Ateş H. (Yürütücü)
Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje, BAP Araştırma Projesi, 2016 - 2019
Proje, atomik katman biriktirme yöntemi ile alttaş üzerine farklı sıcaklıklarda büyütülen ZnO, TiO2 ve HfO2 metal oksitlerin karakterizasyonunu ve diyot özelliklerinin incelenmesini üzerine yoğunlaşmaktadır. Bu amaçla ilk olarak kimyasal yöntemlerle temizlenen Si alttaşlar üzerine yalıtım katmanı olarak ALD ile filmler büyütüldü. Daha sonra bu kullanılacak olan metal oksit ince filmlerden ZnO, TiO2 ve HfO2, atomik katman biriktirme yöntemi ile Al2O3 yalıtım tabakasının üzerine büyütüldü ve bu oluşan p-n eklemlerden Schottky diyotlar oluşturuldu. Elde edilen yarı iletken metal oksit ince filmlerin yapısal karakterizasyonları XRD ve XPS ile, filmlerin yapısal yüzey morfolojisi AFM ve SEM ile, spektral tepkileri ve optiksel özellikleri UV-Visible spektrometre ile, elektriksel analizleri büyütülen ince filmlerin yüzeyine uygun maske yerleştirilerek gümüş (Ag) kontaklar alınarak akım-gerilim (I-V) ölçümleriyle yapılmıştır. ZnO filminin polikristal yapıda, TiO2 ve HfO2 ince filmlerinin amorf yapıda olduğu görülmüştür. Bu çalışmanın, ALD ile Schottky diyot uygulamaları ve optoelektronik uygulamaları için faydalı bir çalışma olacağına ve ileride düşük sıcaklıklarda daha iyi elektriksel özelliklere sahip diyot üretimi için iyi bir kaynak olacağına inanılmaktadır.