AlGaN/GaN-temelli Yuksek Hareketlilige Sahip Transistorlerde InGaN Geribariyerin Dislokasyon Yogunluguna Etkisi

LİŞESİVDİN B., LİŞESİVDİN S. B., ÖZBAY E.

ADIM Physics Congress II, Denizli, Türkiye, 25 - 27 Nisan 2012, ss.131

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Denizli
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.131
  • Gazi Üniversitesi Adresli: Evet