Influence of interface traps on device performance of AlGaN/GaN HEMTS with Si3N4 passivation

Atmaca G., Evrensel A. E., LİŞESİVDİN S. B.

Turkish Physical Society 31th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 21 Temmuz 2014, ss.371, (Özet Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Muğla
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.371
  • Gazi Üniversitesi Adresli: Evet