InGaN arka bariyerli AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT yapılarındaki ince filmlerin alaşım oranları ve kalınlıklarının nümerik optimizasyonu

Kelekçi Ö., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S., ÖZBAY E.

17. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 05 Ekim 2010, ss.17

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Ankara
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.17
  • Gazi Üniversitesi Adresli: Evet