InGaN arka bariyerli AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT yapılarındaki ince filmlerin alaşım oranları ve kalınlıklarının nümerik optimizasyonu

---

Kelekçi Ö., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S., ÖZBAY E.

17. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 05 Ekim 2010, ss.17, (Özet Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
• Basıldığı Şehir: Ankara
• Basıldığı Ülke: Türkiye
• Sayfa Sayıları: ss.17
• Gazi Üniversitesi Adresli: Evet