BOROFEN TABANLI OPTOELEKTRONİK AYGITLARIN ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU


Arş. Gör. Dr. MURAT ULUSOY

Tez Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik, Türkiye

Tez Danışmanı: Şemsettin Altındal

Tezin Onay Tarihi: 2026

Tezin Dili: Türkçe

Desteklendiği Program: Diğer

Özet:

Bu çalışmada, n-tipi PEDOT:PSS'yi belirli ağırlık oranlarında çok katmanlı borofen nano tabakaları (BNT) ile katkılıyoruz. Borofen, p-tipi gibi davranan bir malzeme olduğundan, karanlıkta ölçülen akım-gerilim (I-V) eğrileri ve tıbbi floroskopi X-ışını sistemi aracılığıyla belirli X-ışını doz oranları altında fotoiletkenlik davranışları neticesinde elde edilen verilere dayanarak, organik-inorganik hibrit yapılar boyunca lokalize p-n bağlantılarının oluşumunu gözlemliyoruz. Örneğin, ağırlıkça %1 BNT katkılı yapıda, doz oranları arttıkça negatif fotoakımlar oluşurken, ağırlıkça %10 katkılı yapıda, fotodetektörlerin tipik özellikleri olan ters ve ileri yönde pozitif fotoakımlar gözlemlenir. Yüksek katkının bir sonucu olarak, ağırlıkça %20 katkılı yapıda ters yönde açık devre voltajının davranışı da tartışılmaktadır. Daha baskın ve kararlı fotodetektör davranışı sergileyen yapı için X-ışını dedektörü parametrelerini elde ediyoruz ve bunları sınırlı da olsa karşılaştırılabilir çalışmalarla birlikte sunuyoruz. Bu bulgular, organik-inorganik hibrit malzemelerin dikkate değer etkileşimlerini vurgulamakta ve borofenin tıbbi X-ışını algılama için bir 2-boyutlu (2B) malzeme olarak potansiyelini ortaya koymaktadır.