Au/(CeO2:ZnO-katkılı PVP)/n-Si (MPS) schottky yapıların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin geniş bir frekans aralığında incelenmesi

Tez Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik, Türkiye

Tez Danışmanı: Prof. Dr. Şemsettin Altındal

Tezin Onay Tarihi: 2024

Tezin Dili: Türkçe

Özet:

Bu çalışmada, üretilen Au/(CeO2:ZnO-katkılı PVP)/n-Si (MPS) tipi Schottky yapıların önemli temel elektriksel parametreleri 2kHz-1MHz frekans ve ±4.5V aralıklarında empedans-voltaj (Z-V) ölçümlerinden elde edilmiştir. Katkı donor atomları (Nd) ve seri direnç (Rs) artan frekans ile üstel düşerken, bariyer yüksekliği ve tükenim bölgesi genişliği (Wd) lineer artar. Arayüzey durumlarının (Nss) enerjiye bağlı profili ve onların
yaşam/gevşeme süreleri (), Nicollian-Goetzberger tarafından geliştirilen diğer yöntemlerle karşılaştırıldığında en güvenilir ve doğru yöntem olan parallel-kondüktans yöntemi kullanılarak elde edildi. Bu parametreler ayrıca ileri beslem akım-voltaj (I-V) verilerinden Card-Rhoderick yöntemi kullanılarak elde edildi ve diğer yöntemle elde edilen sonuçla karşılaştırıldı. İki farklı yöntemle elde edilen sonuçlar uyuşmakta ve neredeyse aynı büyüklüktedir. Ölçülen yüksek frekans kapasitans/kondüktans-voltage (C/G-V) eğrileriayrıca Rs etkisi göz önüne alınarak düzeltildi ve düzeltilen eğriler Rs’nin kuvvetli yığılma
bölgesinde daha etkili olduğunu göstermektedir. Deneysel sonuçlar, tüm temel elektriksel parametrelerin frekans ve voltajın güçlü birer fonksiyonu olduğunu ve (CeO2:ZnO-katkılıPVP) organik arayüzey tabakanın geleneksel yöntemlerle büyütülen geleneksel yalıtkanlar yerine başarılı olarak kullanılabilir.