AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri
Tez Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Dr), Türkiye
Tez Danışmanı: MEHMET KASAP
Tezin Onay Tarihi: 2008