AlGaN/GaN-temelli Yuksek Hareketlilige Sahip Transistorlerde InGaN Geribariyerin Dislokasyon Yogunluguna Etkisi

LİŞESİVDİN B., LİŞESİVDİN S. B., ÖZBAY E.

ADIM Physics Congress II, Denizli, Türkiye, 25 - 27 Nisan 2012, ss.131, (Özet Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
• Basıldığı Şehir: Denizli
• Basıldığı Ülke: Türkiye
• Sayfa Sayıları: ss.131
• Gazi Üniversitesi Adresli: Evet