Bu çalışma için katkısız ZnO ve Sn- ve Cu katkılı ZnO ince filmler ITO alttaşlar üzerinde SILAR yöntemi ile üretilmiştir. Filmler daha sonra yapısal, yüzeysel, optik ve elektriksel karakterizasyona tabi tutulmuştur. Katkısız ZnO ince filmler küresel bir yüzey morfolojisi sergilerken, Sn katkılı ZnO ince filmler nano-çiçek yüzey morfolojisi sergilemiştir. Öte yandan, Cu katkılı ZnO ince filmler nispeten daha kalın ve düz bir tabakanın yanı sıra boşluklarla sonuçlanan kırık bir yüzey morfolojisi göstermiştir. Kristalleşme seviyesi ve geçirgenlik değerleri katkılamayla birlikte artmıştır. Cu katkısı ile ZnO/ITO filmlerinden n-p heteroeklem yapısı elde edildi. Bu nedenle, üretilen Cu katkılı ZnO/ITO ince filmlerin düşük dirençleri nedeniyle alternatif şeffaf iletken filmler (TCO) olarak hizmet edebileceği sonucuna varılmıştır.
Undoped ZnO and Sn- and Cu-doped ZnO thin films were fabricated on ITO substrates via the SILAR method for this study. The films were then subjected to structural, surface, optical, and electrical characterization. The undoped ZnO thin films displayed a spherical surface morphology, while the Sn-doped ZnO thin films exhibited a nano-flower surface morphology. On the other hand, the Cu-doped ZnO thin films demonstrated a relatively thicker and flat layer, as well as a fractured surface morphology that resulted in voids. The level of crystallization and transmittance values augmented upon doping. With Cu doping, n-p heterojunction structure was obtained from ZnO/ITO films. Hence, it is inferred that the generated Cu doped ZnO/ITO films can serve as alternative transparent conductive films (TCO) due to their low resistivity.
