Influence of interface traps on device performance of AlGaN/GaN HEMTS with Si3N4 passivation


Atmaca G., Evrensel A. E. , LİŞESİVDİN S. B.

Turkish Physical Society 31th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 21 Temmuz 2014, ss.371

  • Basıldığı Şehir: Muğla
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.371