A Numerical Study on Effects of InAlN/AlGaN Barrier in InAlN/AlGaN/AlN/GaN-based High Electron Mobility Transistors


Elibol K., Güneş C., Kuloğlu A. F. , Boyalı E., LİŞESİVDİN S. B.

Turkish Physical Society 28th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 6 - 09 Eylül 2011, ss.711

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Muğla
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.711