A Numerical Study on Effects of InAlN/AlGaN Barrier in InAlN/AlGaN/AlN/GaN-based High Electron Mobility Transistors

Elibol K., Güneş C., Kuloğlu A. F., Boyalı E., LİŞESİVDİN S. B.

Turkish Physical Society 28th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 6 - 09 Eylül 2011, ss.711

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Muğla
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.711
  • Gazi Üniversitesi Adresli: Evet