Akademik Veri Yönetim Sistemi
8. ULUSLARARASI MÜHENDİSLİK VE TEKNOLOJİ YÖNETİMİ KONGRESİ, İstanbul, Türkiye, 08 Aralık 2022, ss.134-138
Transistörler, MOS kapasitörler, MS/ MIS / MPS tipi Schottky diyotlar (SDs) ve güneş pilleri, uzay
uygulamaları (uydu sistemleri), nükleer sanayi ve tıbbi uygulamalar için üretilen cihazlarda elektronik
bileşen olarak geniş bir kullanım alanına sahiptirler. Bu malzemelerin radyasyona karşı dayanıklılık derecesinin
belirlenmesi ve onların radyasyona karşı tepkilerinin araştırılarak radyasyon etkilerinin doğru
ve detaylı bir şekilde anlaşılması uyduların veya diğer uygulamalardaki cihazların güvenilirliğini artırmak
için oldukça önemlidir. Beta ışınları ile elektron ve proton gibi yüksek enerjili parçacıklar, yukarıda
bahsi geçen malzemelerin elektriksel özelliklerinde kristal yapının değişiminin yanı sıra elektron-hol
çiftlerinin oluşumu sebebiyle önemli değişikliklere yol açmaktadır. Bunlar, malzemelerin kullanımlarında
beklenen karakteristiklerin dışına çıkmasına sebebiyet verebilecek değişimler olabileceği gibi karakteristiklerindeki
belirli bölgelerde bazı küçük artış ve azalışlar olarak da ortaya çıkabilmektedir. Bu
çalışmada, geleneksel yalıtkan arayüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapılar yerine metal/polimer/
yarıiletken (MPS) tipi Schottky diyotları (SDs) hazırlanmış ve bu diyotların beta ışınlama etkileri araştırılmıştır.
Metal/polimer/yarıiletken (MPS) tipi Schottky diyotun beta radyasyonundan önce ve sonra
elektriksel özelliği, I-V ölçümlerinden bariyer yüksekliği (ϕB0), idealite faktörü (n), ters doyum akımı
(I0) Termiyonik Emisyon metodu ile incelenmiştir. Bu elektriksel parametrelerinin radyasyondan belirgin
bir şekilde etkilendiği tespit edilmiştir.