MOCVD ile büyütülen InGaN/GaN Diyot Yapıların a-,c-örgü Parametreleri, Gerilme ve Stress Analizleri ve Isısal Genleşme Katsayıları
23. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, Ankara, Türkiye, 22 Aralık 2017, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Şehir: Ankara
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Gazi Üniversitesi Adresli: Evet