Temperature Dependent Barrier Height, Ideality Factor,Series Resistance of the Al/Al2O3/p-Si (MIS) Diodes UsingCheung’s Functions in Temperature Range of 200-320 K

---

KOŞAL M., MARIL E., ALTINDAL Ş.

ퟏst International Conference on Optoelectronics, Applied Optics and Microelectronics, ERDEBİL, İran, 17 - 19 Ağustos 2019, (Tam Metin Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
• Basıldığı Şehir: ERDEBİL
• Basıldığı Ülke: İran
• Gazi Üniversitesi Adresli: Evet