GaP yarı iletkeninde optik ve elektriksel karakterizasyon

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2011

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: MEHMET DEMİR

Danışman: SELİM ACAR

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

n-GaP yarıiletken üzerine buharlaştırma metodu ile büyütülen altın kontakların 125-375 K sıcaklık aralığında 25 K aralıklarla akım-voltaj (I-V) ölçümleri yapıldı. Deney sonuçları üretilen kontağın iyi bir diyot özelliğine sahip olduğunu gösterdi. Akım iletim mekanizmaları tüm sıcaklık aralığında Poole Frenkel (PF) ve Schottky tipi iletim mekanizmaları ele alınarak incelendi. Düşük sıcaklık bölgesinde PF tipi, yüksek sıcaklık bölgesinde ise Schottky tipi iletimin baskın olduğu görüldü. Yansıma ve geçirgenlik ölçümleri ile GaP yarıiletkeninin yasak enerji aralığı 2,21 eV olarak bulundu.