Doğal yalıtkan tabakalı Al/p-Si Schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin frekansa bağlı incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2005

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: HATİCE KANBUR

Danışman: ŞEMSETTİN ALTINDAL

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Doğal yalıtkan arayüzey tabakaya (SiO2) sahip Al/p-Si Schottky diyotların akım-gerilim (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında incelendi. Arayüzey durum yoğunluğunun (Nss) dağılım profili doğru beslem I-V ölçümlerinden enerjinin (Ess- Ev) bir fonksiyonu olarak, engel yüksekliğinin (e) gerilime bağlı olduğu dikkate alınarak elde edildi. Ayrıca kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri geniş bir frekans aralığında (10 kHz - 1 MHz) çalışıldı. İlave (excess) kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı gözlendi. İlave kapasitansın bu davranışı, artan frekansla arayüzey durum yoğunluklarının azalmasına atfedildi. Deneysel sonuçlar Schottky diyotların I-V, C-V ve G-V karakteristiklerinin sadece Nss'den değil aynı zamanda seri direnç Rs'den de etkilendiğini ve Schottky diyotların elektriksel özellikleri üzerinde Nss ve Rs'nin önemli bir yere sahip olduğunu gösterdi.