Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2010
Öğrenci: GİZEM ÖZAT
Danışman: SEMRAN SAĞLAM
Özet:(100) ve (110) GaAs alt taşlar üzerine büyütülen iki InGaAs kuantum kuyulu güneş pili, Moleküler Demet Epitaxy ile hazırlandı. Farklı (100) ve (110) yörüngeli GaAs alt taşlar üzerine tavlama etkileri yüksek çözünürlüklü X-ışını difraktometre ile araştırıldı ve iki örnek için elde edilen yapısal özellikler ayrıntılı olarak karşılaştırıldı. Temel olarak düzlem içi ve dışı örgü parametreleri XRD analizi ile Vegard yasası kullanılarak elde edildi. Daha sonra örnek için paralel ve dik X-ışını zorlamaları, örgü uyumsuzluğu, alaşım yüzdesi, filmin eğilme açı değerleri ve dislokasyonlar hesap edildi. Tanımlanan zorlama parametreleri kullanılarak bu yapısal özellikler için dinamik teori temelli hesaplamalar rahatlama mekanizmasının (ağırlıklı göç difüzyonu) ortaya çıktığı sıcaklıklarda yapıldı.