Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2024
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Zeynep ALTIN
Danışman: Sema Bilge Ocak
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:
Bu tez çalışmasında, radyasyon sensörü oluşturmak için çift arayüzey katmanı kullanılmıştır. Literatürde olmayan p tipi Silisyum yarıiletken üzerine püskürtme ve termal eveporasyon yöntemleri kullanılarak PbO/SnO2 çift ara yüzey tabakalı yapının diyot parametrelerini incelemek için, akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında -4V ve +3V aralığında alınmıştır. Nano yapıların Gama ışınlarının yarı iletken diyotlar üzerindeki etkilerini anlamak amacıyla, diyotların akım-gerilim (I-V) karakteristikleri radyasyon öncesi ve 30 kGy dozunda gama ışınlamasına maruz bırakıldıktan sonra ölçülmüştür. Elde edilen I-V verileri, ln(I)-V grafiği çizilerek analiz edilmiş ve sıfır-besleme bariyer yüksekliği (Φb), idealite faktörü (n) ve ters doyma akımı (𝐼0) gibi temel diyot parametreleri belirlenmiştir. Ayrıca, I-V verilerinden seri direnç (Rs), şönt direnç (Rsh) ve doğrultma oranı (RR) gibi diğer önemli parametreler de hesaplanmıştır. Bu parametrelerin radyasyon etkisiyle nasıl değiştiği, Cheung ve Norde fonksiyonları gibi farklı yöntemlerle elde edilen sonuçlar karşılaştırarak daha detaylı incelenmiştir. 60Co gama (γ) ışını Al/PbO/SnO2/p-Si yapısı üzerinde Rs ve Φb parametrelerini artırıcı yönde etki ederken ideallik faktörünü (n) azaltıcı yönde etkide bulunmuştur. Sonuçlar incelendiğinde Al/PbO/SnO2/p-Si yapısının 60Co gamma (γ) ışınına karşı duyarlı olduğu ve yapının radyasyon sensörü olarak kullanılabileceği sonucuna varılmıştır.
Anahtar Kelimeler : Gama radyasyonu, PbO/SnO2, I-V karakteristikleri