DÜŞÜK SICAKLIKTA GaAs YAPISININ MBE İLE BÜYÜTÜLMESİ VE KARAKTERİZASYONU


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2010

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Şener ŞEN

Danışman: SÜLEYMAN ÖZÇELİK

Özet:

Bu çalışmada, elektromanyetik dalga spektrumunun kızıl ötesi bölümünde yer alan terahertz dalgalarının üretme ve algılama yöntemleri incelendi. Terahertz dalgaların oluşturulmasında yarıiletken GaAs anten yapılar tercih edildi. Yarı iletken kristal büyütme tekniklerinden Düşük Sıcaklık (LT) Moleküler Demet Epitaksi (MBE) büyütme yöntemi ile GaAs kristal yapısı büyütüldü. Büyütülen numuneden alınan ve farklı sıcaklıklarda tavlanan parçalarda oluşan yapıların yapısal özellikleri X-Işını Kırınımı (HR-XRD) ve Optik Mikroskop sistemleri aracılığıyla incelenerek terahertz antenler için uygunluğu belirlendi.