MOS yapılarda temel fiziksel parametrelerin frekans ve radyasyon miktarına bağlı incelenmesi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2004
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: ADEM TATAROĞLU
Danışman: ŞEMSETTİN ALTINDAL
Özet:MOS YAPILARDA TEMEL FİZİKSEL PARAMETRELERİN FREKANS VE RADYASYON MİKTARINA BAĞLI İNCELENMESİ (Doktora Tezi) Adem TATAROĞLU GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Şubat 2004 ÖZET Bu çalışmada sırasıyla (111) ve (100) yüzey yönelimine sahip, 2" çapında, 280 ve 350 fim kalınlığında, 4,45 ve 1 îîcm özdirençli n ve p-tipi tek silisyum kristalleri kullanılarak metal-oksit-yarıiletken(MOS) yapılar oluşturuldu. MOS yapıların C-V ve G/co-V ölçümleri oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Radyasyondan sonra Au/SnCVn-Si (MOS2) yapı, 60Co kaynağına tutularak, aynı ölçümler tekrarlandı. Seri direnç, yalıtkan oksit tabakası ve arayüzey durumlarının C-V ve G/co-V karakteristiklerine etkisi araştırıldı. MOS2 yapısında yüzey durumlarının dağılım profili, düşük-yüksek frekans kapasitans tekniği kullanılarak tükenim ve zayıf tersinim bölgesinde radyasyondan önce ve sonra elde edildi. Ölçülen kapasitans ve iletkenlik seri direnç için düzeltildi. Seri direnç artan frekans ve radyasyon dozu ile azalmaktadır. Dielektrik sabiti ve dielektrik kayıp artan frekansla azalırken, artan radyasyonla artmaktadır. C-V ve G/co-V karakteristikleri, radyasyon tarafından oluşturulan kusurlar ve seri direnç varlığından dolayı oldukça etkilenmektedir. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : MOS yapı, radyasyon etkisi, arayüzey durumlar, seri direnç Sayfa Adedi : 111 Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL