Farklı X Materyaller Kullanılarak Au/(Bi2o3-X:Pva)/4hsic Yapıların Hazırlanması, Elektriksel Ve Dielektrik Özelliklerin İncelenmesi


Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2019

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Yosef Badali

Danışman: İBRAHİM USLU

Özet:

Farklı nanokompozit arayüzey tabakalı Au/(Bi2O3-x:PVA)/4H-SiC (MPS) (x=Sm, Sn, Mo) yapılar spin-kaplama yöntemi ile üretilmiştir. Hazırlanan yapıların I-V karakteristiklerden elde edilen doygunluk akımı (I0), engel yüksekliği (B0), idealite faktörü (n), seri ve şönt dirençleri (Rs ve Rsh) ve rektifiye oranı (RR) gibi ana elektriksel parametreleri, arayüzey tabakada kullanılan farklı nanomateryale bağlı olarak değişimi incelenmiştir. Tüm yapılar için cheung ve norde fonksiyonlarından elde edilen n,  B0 and Rs değerleri karşılaştırılmıştır. Arayüzey durumlarının enerji dağılım profili (Nss‒(Ec-Ess)); doğru beslem (I‒V), voltaja bağlı bariyer yüksekliği (e(V)) ve idealite faktörü (n(V)) verileri dikkate alınarak elde edilmiştir. Ek olarak, hazırlanan yapıların muhtemel akım iletim mekanizmasını belirlemek için Ln(I)‒Ln(V) eğrileri çizilmiştir. Ayrıca tüm yapıların C‒V ve G/‒V ölçümleri de yapılmıştır. Ters beslem C-2‒V karakteristiklerden Fermi enerji (Ef), bariyer yüksekliği (B0(C-V)), verici atom yoğunluğu (ND) ve eklem tabaka genişliği (WD) hesaplanmıştır. Yüksek-düşük frekans kapasite (CHF-CLF) yönteminden Nss-V eğrileri elde edilerek yapıların arayüzey dudumları incelenmiştir. Bu yöntemle hesaplanan Nss değerleri, 1013 eV-1cm-2 mertebesinde olduğu görülmüştür. Ayrıca tüm örneklerin dielektrik geçirgenliği gerçek ve sanal kısımları (' ve ) dielektrik kayıp katsayısı (Tan ), elektrik mödülü gerçek ve sanal kısımları (M' ve M) ve iletkenlik () hesaplanmıştır. Elde edilen deneysel sonuçlara göre hem elektriksel hemde dielektrik parametreler katkılanan nanomalzemenin güçlü bir fonksiyonudur. Elde edilen sonuçlara göre, Au/Bi2O3-Sn- PVA/n-SiC örneği diot parametreleri açısından en iyi performans göstermektedir. Bilim