YÜKSEK ELEKTRON HAREKETLİ TRANSİSTÖR (HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, HEMT) DİSTORSİYON ANALİZİ


Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2009

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Levent GÖKREM

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

HEMT'ler düşük gürültü ve yüksek frekanslarda çalışmaları nedeniyle günümüzde yaygın olarak analog, sayısal ve kablosuz haberleşme sistemlerinde kullanılmaktadır. Bu çalışmada GaN tabanlı HEMT'in sıcaklığa bağlı olarak Nyquist, Root-locus, Rolletti, Linville ve Stern kararlılık analizi yapılmıştır. Rolletti kararlılık kriteri (K) ve sıcaklıkla deiİen saçılma parametresi ile iliİkili kararlılık kriteri D (Delta, D) arasındaki bölgesel kararlılık aralıkları belirlenmiİtir. Volterra serisi üçüncü dereceye kadar güç serisi İeklinde açılarak küçük iİaret transfer fonksiyonları elde edilmiİtir. Sisteme uygulanan dört-tonlu küçük iİaretten elde edilen intermodülasyon (IMD) frekans bileşenlerinin sıcaklık ve Vgs'ye balı olarak analizi yapılmış ve asimetrik IMD bileşenleri de belirlenmiİtir.