Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2024
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Yusuf ATMACA
Danışman: Şükrü Çavdar
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:
Bu çalışmada NiCo2O4 (nikel kobaltit) ince film yapısını elektriksel ve optik olarak karakterize etmek için Schottky yapılı diyot ve farklı alttaş üzerinde kaplanmıştır. Co3O4 (kobalt oksit) çekirdek tabakası üzerinde NiCo2O4 ince film yapısı, n-tipi Si, cam ve FTO (flor katkılı kalay oksit) yüzeyleri üzerine döndürmeli kaplama tekniği kullanılarak oluşturuldu. NiCo2O4 ince film yapısı yüzey analizi taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılarak yapıldı. Enerji dağılım spektroskopisi (EDS) analizi ile NiCo2O4 ince film detaylı yapısal özellikleri incelendi. NiCo2O4 ince film kristal yapısının incelemesi de X ışını kırınımı (XRD)analizi ile yapılmıştır. Cam ve FTO yüzeyleri üzerindeki NiCo2O4 ince film yapısı ultraviyole ve görünür ışık (UV-Vis) spektroskopisi ile optik geçirgenlik ve soğurma analizi yapıldı. Al/NiCo2O4/n-Si/Al Schottky diyot yapısı oluşturularak da görünür ışık dalga boylarında farklı aydınlatma şiddetlerinde elektro-optik ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Akım-gerilim (I-V) grafikleri kullanılarak malzemelerin idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (Φb) ve doyma akımı (I0) değerleri hesaplandı. Aydınlatma şiddeti arttıkça ters kutuplama da fotoakımın arttığı, numunelerin ışığa duyarlı olduğu ve fotodiyot özelliği gösterdiği belirlendi. Son olarak da kapasitifik özelliklerini incelemek amacıyla da kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) özellikleri incelendi. Tüm bu veriler değerlendirildiğin de de NiCo2O4'ün bu özellikleriyle farklı alanlardaki optoelektronik uygulamalarda fotodiyot olarak kullanılabilecek uygun bir malzeme olduğu görüldü.
Anahtar Kelimeler : NiCo2O4, n-Si, ideallik faktörü, engel yüksekliği, Schottky diyot, fotodiyot