Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2022
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Fatma Zehra ACAR
Danışman: Adem Tataroğlu
Özet:
Bu çalışmada, p-InP yarıiletken üzerine arayüzey dielektrik tabaka olarak çinko oksit (ZnO), radyo frekansı (RF) magnetron püskürtme yöntemi kullanılarak biriktirildi. Termal buharlaştırma sisteminde omik ve doğrultucu kontakları oluşturulduktan sonra Au/ZnO/pInP (MOS) kondansatörü hazırlanmıştır. ZnO filminin kristal yapısı ve yüzey morfolojisi, sırasıyla X-ışını kırınımı (XRD) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile karakterize edildi. MOS kapasitörün admitans (Y=G+iωC) ölçümleri ilk önce oda sıcaklığında geniş bir frekans aralığında (1 kHz-1 MHz), sonra 100 kHz ve 500 kHz için geniş bir sıcaklık aralığında (100 K-400 K) gerçekleştirilmiştir. Frekans ve sıcaklığa bağlı kapasitans (C) ve iletkenlik (G) ölçümleri kullanılarak kondansatörün seri direnç (Rs), arayüzey durum yoğunluğu (Nss), dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε''), dielektrik kayıp tanjantı (tanδ), ac iletkenlik (σac) ve elektrik modülüs (M) gibi elektrik ve dielektrik parametreleri elde edilmiştir. Bu parametrelerin hem frekansa hem de sıcaklığa oldukça duyarlı olduğu bulunmuştur. Sonuç olarak, hazırlanan Au/ZnO/p-InP (MOS) kapasitör elektronik devrelerde enerji depolama cihazı olarak kullanılabilir.
Anahtar Kelimeler : MOS kapasitör, admitans ölçümleri, frekans ve sıcaklık etkisi,
dielektrik, iletkenlik, modülüs