Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2009
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Halit ALTUNTAS
Danışman: SÜLEYMAN ÖZÇELİK
Özet:Bu çalısmada, iki adet AlxGa1-xAs/GaAs (x=0.20, 0.22) kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektör yapısı ve bir adet AlGaAs/GaAs kalibrasyon numunesi moleküler demet epitaksi (MBE) yöntemiyle büyütülmüstür. AlGaAs/GaAs materyal sistemleri mükemmel örgü uyumları ve MBE yöntemiyle de yüksek kalitede büyütülebildikleri için kızılötesi dedektör teknolojilerinde oldukça genis bir sekilde kullanılmaktadır. Büyütülen fotodedektörler yüksek çözünürlüklü x-ısınları kırınımı ve fotolüminesans ölçümleriyle yapısal olarak karakterize edilmis, Hall etkisi ölçümleriyle kalibrasyon numunesinin ve dedektörlerin elektriksel parametreleri bulunmus ve dedektörlerin fabrikasyonları tamamlandıktan sonra karanlık akım-voltaj karakteristikleri sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edilmistir. Karanlık akım değerleri yüksek sıcaklıkta termi-iyonik emisyon teorisiyle açıklanmıstır. Ölçüm sonucunda, bandtan-sürekli duruma geçise sahip dedektörün bandtan-banda geçise sahip dedektöre göre 103 kat daha düsük bir karanlık akıma sahip olduğu görülmüstür.