III-V grubu yarıiletken bileşiklerin raman özellikleri

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2005

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ELİF GÜÇ

Danışman: MEHMET MAHİR BÜLBÜL

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

x+y » 47%)'a uygun-örgü In1-x-yGaxAlyAs dörtlüBu çalışmada, InP (ilealaşımlardaki boyuna optiksel fononların Raman saçılması incelendi. Dörtlüalaşım numuneler moleküler demet büyültme (MBE) ile (001) InP alttaşlarüzerine tabakalar halinde büyütüldü. Raman fonon spektrumu, InAs-, GaAs-and AlAs-benzer boyuna optik fonon modlarını sağlayan bir üç-mod davranışıgösterdi. GaAs ve AlAs-benzer modların frekansları, Ga (veya Al) yoğunluklarıile lineer olarak değişirken InAs-benzer fononun konumu neredeyse sabitkalmaktadır. Modların şiddet oranlarının, bileşimlerine karşılık gelen oranlaorantılı olduğu görüldü. Düzensiz-etkiler sebebiyle oluşan LO fonon modlarınınRaman çizgi şekillerin asimetrik genişliği ?konumsal koralasyon? yaklaşımı ileen iyi şekilde açıklanabildi.Bilim Kodu : 4040501Anahtar Kelimeler : Dörtlü bileşikler, fonon modları, Raman spektrumu,RCI modelSayfa Adedi : 51Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. M. Mahir BÜLBÜL