Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Eğitim Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2021
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: MURAT ULUSOY
Danışman: Perihan Durmuş
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:
Tezin araştırma konusu olan diyot yapımızın arayüzeyi için hazırlanan NiS yapısı, mikrodalga destekli yöntem ile elde edilmiştir ve bu yöntem son zamanlarda nano-ölçekli sentezlerde büyük ilgi görmektedir. Arayüzey için ayrıca kullanılan polivinilpirolidon (PVP) polimer yapısı, bir yarı kristaldir ve geniş bir kristallik aralığına sahiptir. Özellikle hem suda hem de birçok organik çözücüde iyi çözünebilirliği sayesinde, toksik olmayan karakterleri, benzersiz fiziksel ve kimyasal özellikleri nedeniyle endüstriyel birçok alanda kendine yer bulmuştur. Metal-yarıiletken kontaklarda da bu organik polimerler özellikle metal veya metal bileşikleri ile birlikte katkılanarak cihaz performansını önemli ölçüde etkileyen arayüzey durumlarını ortadan kaldırmak amacıyla yaygın olarak kullanılmaktadır. Toz halinde elde edilen NiS nano-yapıları uygun bir PVP solüsyonu elde etmek için çözelti olarak deiyonize suda çözündürüldükten sonra oluşan NiS:PVP çözeltisi oda koşullarında karıştırılıp spin kaplama yöntemi ile yarıiletken kristal yüzeyine ince bir film tabaka şeklinde kaplanmıştır. Kristal arka yüzeyine kaplanan omik kontak ile Schottyk kontaklar NiS:PVP yapısının üzerine termal buharlaştırma yöntemiyle kaplandı. Hazırlanan Au/(NiS:PVP)/n-Si diyot yapısının hem kapasitans-voltaj (C-V) hem de iletkenlik-voltaj (G/ω-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında, geniş bir frekans ve voltaj aralığında incelendi. Ölçülen elektrofiziksel parametreler, tüketim ve yığılma bölgesinde güçlü frekans bağımlılığı özellikleri göstermiştir. Bu etkilerin nedeni arayüzey durumları (N_ss), seri direnç (R_S) ve polarizasyonun yanı sıra organik arayüzey katmanının (NiS:PVP) varlığından kaynaklanmaktadır.çözeltisi oda koşullarında karıştırılıp spin kaplama yöntemi (SCM) ile yarıiletken kristal yüzeyine ince bir film tabaka şeklinde kaplanmıştır. Kristal arka yüzeyine kaplanan omik kontak ile Schottyk (doğrultucu) kontaklar NiS:PVP yapısının üzerine termal buharlaştırma yöntemiyle kaplandı. Hazırlanan Au/(NiS:PVP)/n-Si diyot yapısının hem kapasitans-voltaj (C-V) hem de iletkenlik-voltaj (G/ω-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında, geniş bir frekans ve voltaj aralığında incelendi. Ölçülen elektrofiziksel parametreler, tüketim ve yığılma bölgesinde güçlü frekans bağımlılığı özellikleri göstermiştir. Bu etkilerin nedeni arayüzey durumları (N_ss), seri direnç (R_S) ve polarizasyonun yanı sıra organik arayüzey katmanının (NiS:PVP) varlığından kaynaklanmaktadır.