W1-xTcxB2 (x =0.1~0.9), Pd3X (X= Ti, Zr, Hf) alaşımlarının ve Tin+1GaNn (n=1,2,3) Bileşiklerinin AB İnitio yöntemlerle incelenmesi

Gökhan Sürücü

W1-xTcxB2 (x =0.1~0.9), Pd3X (X= Ti, Zr, Hf) alaşımlarının ve Tin+1GaNn (n=1,2,3) Bileşiklerinin AB İnitio yöntemlerle incelenmesi

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2014

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Gökhan Sürücü

Danışman: KEMAL ÇOLAKOĞLU

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada, değişen x kompozisyon oranına göre W1-xTcxB2 (x = 0.1~0.9) alaşımların, Mn+1AXn faz tipi Tin+1GaNn (n= 1, 2, 3) bileşiklerin ve Pd3X (X= Ti, Zr, Hf) alaşımların yapısal, elektronik, elastik, termodinamik ve titreşimsel özelikleri Genelleştirilmiş Gradient Yaklaşımı (GGA) kullanılarak yoğunluk fonksiyoneli teorisine (DFT) dayalı olarak hesaplandı. Özellikle, incelenen alaşım ve bileşiklerin örgü parametreleri, bant yapıları, elastik sabitleri, kayma modülü, Young modülü ve Poison oranı, anizotopi katsayıları gibi bazı temel fiziksel parametreleri hesaplanarak yorumlandı. Ayrıca, bazı alaşım ve bileşiklerin fonon dispersiyon eğrileri ve fonon durum yoğunlukları hesaplandı. Elde edilen bulgular mevcut deneysel ve teorik değerlerle karşılaştırıldı. Kullanılan yöntemin incelenen alaşımların ve bileşiklerin fiziksel özelliklerini belirlemede doğru sonuçlar verdiği görüldü.