Grup III-V bileşik yarı iletkenlerde AFM yüzey karakterizasyonu


Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2008

Öğrenci: SÜLEYMAN ÇÖREKÇİ

Danışman: MEHMET ÇAKMAK

Özet:

MOCVD ile safir alttaş üzerine büyütülen AlN, GaN tampon malzemelerin ve AlGaN/(AlN)/GaN heteroyapıların yapısal, morfolojik ve optik özellikleri araştırıldı. Numunelerin karakterizasyonu için XRD, AFM ve PL teknikleri kullanıldı. Safir alttaş üzerindeki AlN tampon tabakanın ve GaN tampon-AlGaN bariyer tabakaları arasına büyütülen AlN ara tabakanın, heteroyapılar üzerindeki etkileri incelendi. AlN tampon tabakanın, heteroyapıların kristal kalitesini ve yüzey özelliklerini geliştirdiği görüldü. AlN ara tabakanın heteroyapıların kristal kalitesini daha da geliştirdiği belirlendi. Ancak AlN ara tabakanın yüksek büyütme sıcaklığı nedeniyle heteroyapılarda daha pürüzlü ara yüzeyler oluşmasına neden olduğu bulundu. Ayrıca AlN ara tabakanın AlGaN bariyerdeki çekme gerinmesini basma gerinmesine dönüştürdüğü görüldü.