InAs yarıiletken kristalinde elektron iletimi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2004

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: DURMUŞ DEMİR

Danışman: MEHMET KASAP

Özet:

InAs YARIİLETKEN KRİSTALİNDE ELEKTRON İLETİMİ (Yüksek Lisans Tezi) Durmuş DEMİR GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ NİSAN 2004 ÖZET Bu çalışmada MBE (Molecular Işın Epitaksi) kristal büyütme yöntemi ile GaAs üzerine büyütülen 3fxm kalınlıktı n tipi InAs yarıiletken tabakanın elektron iletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hail Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 13,6-300 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hail Mobilitesi, ISBE ve iki bant modeli kullanılarak analiz edildi. Hail taşıyıcı yoğunluğu ise iki bant ve Wolfe-Stillman modelleri kullanılarak analiz edildi. Alıcı ve verici safsızhk yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisi tahmin edildi. Son olarak düşük sıcaklıklarda iletim mekanizmasının türünün metalik mi yoksa ısısal aktif sıçrama mı olduğu araştırıldı. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : InAs, elektron iletimi, Hail Mobilitesi, ISBE Sayfa Adedi : 66 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP