S-Katkılı DLC (Elmas Benzeri Karbon) Ara Katmanlı Yapıların Elektriksel Özelliklerine Frekansın Etkisi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, -, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2025

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ESRA KESEN İÇÖZ

Danışman: Yasemin Şafak Asar

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu tez çalışmasında metal-yarıiletken (MS) yapılarının aygıt performansını arttırmak için, elektrokimyasal biriktirme metodu ile p tipi Silisyum (Si) alttaş üzerine 100 Å kalınlıkta kükürt (S) katkılı elmas benzeri karbon (DLC) ara yüzey katmanı kullanılan Al/S-katkılı DLC/p-Si/Au metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) Schottky diyot yapısı oluşturulmuştur. Kaplanan DLC tabakanın yapısal özelliklerinin incelenmesi için SEM görüntüleri ve XRF analizleri kullanılmıştır. SEM görüntülerinde Si alttaş yüzeyinin DLC film ile kaplandığı, tane boyutları 21 nm ile 33 nm arasında değişen adacıkların filmin her yerinde hemen hemen düzgün şekilde dağıldığı görülmüştür. Atomların türü veya miktarı hakkında bilgi edinmek amacıyla (XPS) analizi kullanılmıştır. Bu ölçüm sonuçlarında hedeflenen S katkılı DLC yapısının C 1s ve S 2p XPS spektrumları açıkça elde edilmiştir. Üretilen S katkılı DLC yapının elektriksel özelliklerinin incelenmesinde frekansa ve uygulama voltajına bağlı olarak admitans spektroskopisinin elemanları kapasitans (Cm-V-f) ve iletkenlik (Gm/ω-V-f) ölçüm sonuçları kullanılmıştır. Bu inceleme için çizilen C^(-2)-V grafiğinden Φ_b,E_F, N_A ve W_D gibi aygıta özgü elektriksel çıktı parametreleri elde edildi. Çıktı parametrelerinin frekansa bağlı değişiminin tam bir spektrumda incelemesi için admitans ölçümleri 2 kHz-2 MHz frekans aralığı ve ∓5 V uygulama gerilimi bölgesinde gerçekleştirildi. D_it'nin uygulama gerilimine göre dağılım profilleri, düşük yüksek frekans metodu ve kondüstans metodu kullanılarak elde edildi. Nicollian ve Brews metodu kullanılarak seri direnç R_s grafiği elde edildi.