SKP tekniği ile Al5083 malzeme yüzeyine ZrB2 ve SiC takviyeli hibrit yüzey kompozit üretimi ve SKK ile kaynaklanabilirliğinin araştırılması

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2024

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Nihat KAYA

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Cemil Çetinkaya

Eş Danışman: Hakan Ada

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada, sürtünme karıştırma prosesi ile Al5083 matrisli SiC ve ZrB2 seramik partikül takviyeli hibrit yüzey kompozitler üretilerek sürtünme karıştırma kaynak yöntemi ile kaynaklanabilirliği araştırılmıştır. Birbiri ile bağlantılı dört aşamadan oluşan bu çalışmanın birinci aşamasında sürtünme karıştırma prosesi ile SiC takviyeli yüzey kompozit üretmek için farklı parametreler kullanılmış ve optimum parametreler belirlenmiştir. İkinci aşamada, birinci aşamada belirlenen optimum parametreler kullanılarak SiC ve ZrB2 takviye partikülleri farklı teorik hacim oranlarında üretilmiş ve ideal teorik hacim oranları belirlenmiştir. Üçüncü aşamada, birinci aşamadan elde edilen optimum parametreler ve ikinci aşamada belirlenen ideal teorik hacim oranları kullanılarak farklı hibrit karışım oranlarında ZrB2 ve SiC takviyeli hibrit yüzey kompozitler üretilerek ideal hibrit karışım oranı tespit edilmiştir. Çalışmanın dördüncü aşamasında ise, üçüncü aşamada belirlenen ideal hibrit karışım oranında hibrit yüzey kompozitler üretilip farklı parametreler kullanılarak sürtünme karıştırma kaynağı ile birleştirilmiş ve optimum sürtünme karıştırma kaynak parametreleri belirlenmiştir. Her aşamada üretilen numunelere makro ve mikroyapı karakterizasyonu için optik mikroskop, taramalı elektron mikroskobu, enerji dağılımı spektrometresi ve X ışını difraktometresi analizleri, mekanik karakterizasyon için ise sertlik ölçümleri ile çekme, eğme ve aşınma testleri yapılmıştır. Yapılan tüm test ve analizler sonucunda birinci aşamada optimum yüzey kompozit üretim parametreleri 900 dev/dk takım dönüş hızı ile 8000 N eksenel yük, ikinci aşamada ideal teorik hacim oranları SiC için %15 ile ZrB2 için %5, üçüncü aşamada ideal hibrit karışım oranı %3 ZrB2 - %12 SiC ve dördüncü aşamada optimum sürtünme karıştırma kaynak parametreleri 1120 dev/dk takım dönüş hızı ile 40 mm/dk ilerleme hızı olarak tespit edilmiştir.

Anahtar Kelimeler : Sürtünme karıştırma kaynağı ve prosesi, hibrit yüzey kompozit