Şekil hafızalı malzemelerin 4B baskı yöntemi ile üretilebilirliklerinin araştırılması
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, -, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2025
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: NURDAN TATLISU
Danışman: Oğuzhan Yılmaz
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Günümüzde eklemeli imalat yöntemlerine olan ilgi her geçen gün artmaktadır. Talep doğrultusunda kendini sürekli geliştiren sektör olan eklemeli imalat yöntemlerine yeni bir bakış açısı kazandıran dört boyutlu baskı yöntemleri ise hem ekonomik hem de karmaşık şekillerin kolaylıkla üretilebilirliğini sağladığından önemini gün geçtikçe hız kaybetmeden arttırmaktadır. Bu çalışmada şekil hafızalı foto polimer bir reçinenin 4B baskıda kullanılmak üzere dijital ışık işleme yöntemi ile üretilebilirliği incelenmek istenmiştir. Çalışma kapsamında; 0,35 mm, 0,2 mm ve 0,1 mm olmak üzere üç farklı kalınlıktaki numuneler, dijital ışık işleme cihazında üretilerek şekil hafıza özellikleri incelenmiştir. Farklı numunelerin göstermiş olduğu şekil hafıza parametreleri karşılaştırılmış ve en iyi sonucu ortaya koyan tasarım kalınlığı gösterilmiştir. XRD analizi sonucunda PMMA içerikli polimer reçinenin büyük oranda amorf yapılı olduğu ortaya çıkmıştır. Çalışma kapsamında aynı zamanda soğutma süresinin şekil hafıza özelliklerine etkisi de incelenmiştir. Bu bağlamda üç farklı kalınlığa sahip numuneler, geçici şekil verilmek üzere ilk olarak 10 saniye ardından 60 saniye soğuk suda bekletildikten sonra şekil sabitlik oranı ölçülerek karşılaştırılmıştır. Şekil hafıza testi sonuçları incelendiğinde şekil sabitlik oranı (Rf) değeri en yüksek 0,2mm, en düşük 0,35mm kalınlığındaki numune olarak belirlenmiştir. Şekil geri dönüşüm oranı (Rr) değeri için ise kalınlık arttıkça Rr değerinde doğrusal olarak bir artış gözlemlenmiştir. Sonuç olarak şekil sabitlik oranı ve şekil geri dönüşüm oranına malzemenin mikroyapısı, ısı transferi etkisi ve zincir hareketliliğinin büyük oranda etki ettiği sonucuna varılmıştır.