In0.51Ga0.49As ve In0.60Ga0.40As yarıiletkenlerinde mobilite hesaplamaları

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2001

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: SELÇUK DEMİREZEN

Danışman: MEHMET KASAP

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada Ino.51Gao.49As ve Ino.60Gao.40As yarıiletkenlerinde bireysel dislokasyon saçılmasından kaynaklanan Hail mobilitesi hesaplandı. İlgili yarıiletkenlerde muhtemel saçılma mekanizmalarının tümünü içeren ISBE ile toplam mobilite hesaplandı. Hesaplama sonuçlarının deneysel sonuçlarla uyumlu olduğu bulundu. Bilim koduAnahtar kelimeler Sayfa adedi Tez yöneticisi 500.10.02 ISBE, Mobilite, Saçılma mekanizmaları