Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2015
Öğrenci: AYÇA ÇELİK
Danışman: MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
Özet:Metal Organik Kimyasal Buhar Çökertme (MOCVD) sistemi ile büyütülen x alaşım oranı dereceli ve derecesiz InGaN/GaN güneş pili yapıların özellikleri yüksek çözünürlüklü X- Işını Kırınımı (HRXRD), Atomik Kuvvet Mikroskopisi (AFM) ve Akım-Voltaj (I-V) karekteristik ölçümleri ile araştırıldı. Güneş ışığı için yeterli performansa sahip tabakalı InGaN'ı güneş foto voltaik hücreler için uygun bir malzeme yapar. Yapı içine giren dislokasyon yoğunlukları (TDD) plastik deformasyona sebep verir ve örgü parametrelerinde dalgalanmalara sebep verir. Bu yüzden yapıda bükülme, burkulma hatta çatlamalar oluşur. Güneş pili performansını artırmak için X alaşım oranının dereceli ve derecesiz InGaN aktif tabakalarının ve GaN kanat tabakasının dislokasyon yoğunlukları araştırıldı. Sonuç olarak bulundu ki In dereceli yapı daha yüksek performansa ve daha az dislokasyon değerine sahiptir.